光物性工学・物性物理学(佐藤勝昭教官) 期末テスト 1998.7.28
持ち込み可:教科書(または参考書)1冊、A4判のレポート(自筆に限る)1枚
問題1 半導体の光学的性質について
(1)半導体には、ある波長より短い波長の光を吸収して通さなくする性質があります。光が通らなくなる波長(または、対応する光子エネルギー)を(光学)吸収端と呼びます。半導体が吸収端を持つ理由について電子バンド構造に基づいて説明して下さい。(7/14の授業)
(2)半導体の吸収端における光学遷移には、直接遷移と間接遷移とがあります。直接遷移と間接遷移とはそれぞれどんな光学遷移ですか。半導体のk空間におけるバンド構造の違いによって説明して下さい。(7/14の授業)
(3)硫化亜鉛(ZnS)、硫化カドミウム(CdS)、ガリウムリン(GaP)、ガリウム砒素(GaAs)のバンドギャップはそれぞれ、3.6 eV, 2.42 eV, 2.25 eV, 1.43 eVです。これらの半導体(厚さ1mm程度)の透過光の色は、それぞれ何色ですか。色とその根拠も書いて下さい。(光が透過しない場合には、不透明と書いて下さい。)
(4)シリコンは半導体であって金属ではないのに、研磨したシリコンのウェーハは、銀色の鈍(にぶ)い金属光沢を示しています。その理由を書いて下さい。(7/14の授業)
(5)塩化ナトリウムでは、直流比誘電率εr=5.9であるのに対し、屈折率nの2乗n2=2.25となり、εrとn2とは大きく異なっています。一方、シリコンでは直流比誘電率εr=11.7, 屈折率nの2乗n2=11.7、となって両者は等しい。この違いの原因を両物質の結合にもとづいて説明して下さい。(6/2の授業)
問題2 質量m,電荷qの粒子が格子点にバネで束縛されているような系による電気分極を以下の手続きに従って計算してください。[教科書4.2節](6/2の授業)
(1)まず、電界がなく、摩擦力が無視できものとすると、粒子に働く力は粒子の平衡点からのずれuにもとづくバネの復元力だけとなります。バネ定数をKとしとして、(古典力学の)運動方程式を立てて下さい。質量×加速度=バネの復元力
(2)この運動方程式を解いて、この系の固有角振動数ω0をmとKの式として求めなさい。
(3)つぎに、この粒子が電荷qをもっていたとし、角振動数ωの周期的な電界E=E0exp(-iωt)が加わった場合を考えます。この場合の運動方程式を立ててください。
(4)この方程式の解として、u=u0exp(-iωt)の形の解を考えたとき、変位u をm、ω、ω0(または、m, K)、q、Eの関数として表して下さい。
(5)この粒子の運動によって生じた分極Pをm、ω、ω0(または、m, K)、q、Eの関数として表してください。(ただし、Nを粒子の密度として分極はP=Nquで表されるものとします)
問題3 偏光について次の質問にお答え下さい。
(1)ガラスに斜め入射した場合の反射光はかなり偏光しています。ある入射角ではp偏光が消滅しs偏光のみとなります。p偏光、s偏光とはどんな偏光ですか。(5/12の授業)
(2)上の場合の入射角のことをブリュースター角と呼びます。ガラスの屈折率を1.5としたときブリュースター角を求めなさい。(5/19の授業)
(3)MD(ミニディスク)では偏光を使って磁気記録された情報を読み出しています。なぜこの様なことが可能なのか説明して下さい。(5/19の授業)
(4)自然旋光性と磁気旋光(ファラデー効果)の違いについて説明して下さい。(5/19の授業)
問題4 GaPのフォトルミネセンス・スペクトルの測定について答えてください。(7/21の授業)
(1)この実験のためのセッティングを模式的な図として示してください。
(2)吸収端より少し低いエネルギーの領域にある励起子発光について研究したいのですが、このときの励起光源として最適なものは次のどれか、それはなぜかを答えてください。 (a)半導体レーザ(780 nm), (b)YAG:Ndレーザ(1060 nm), (c)Ar+レーザ(488nm, 514nm)
フォトルミネセンス・スペクトルの測定はなぜ低温で行う必要があるかを考えて下さい。励起子の束縛エネルギーと熱エネルギーの相対関係を考えてみましょう。
問題5 ルミネセンスとレーザについて
(1)ルミネセンスを励起の仕方によって分類して下さい。また、それぞれの例または実用的な応用を示して下さい。(7/21の授業)
(2)レーザ作用が起きるためには反転分布が必要であるといわれる。反転分布とは何か、反転分布が必要である理由を述べよ。(7/21)[教科書4.4.2]
(3)半導体レーザにおいて、閾値以下の電流では、発光ダイオードの動作ですが、閾値を超えるとレーザの動作になります。発光ダイオードの状態とレーザの状態とでは何が違っていたのですか。(7/21の授業)[教科書4.5節]
(4)半導体レーザが低いしきい電圧で動作するようになったのは、二重ヘテロ構造をとることで電子正孔密度を高めると共に、活性層での光の密度を上げることが出来たからだと言われています。二重ヘテロ構造とはどのような構造であるのか、何故光の密度を上げることが出来たかについてお答え下さい。(6/16・7/21の授業)
問題6 4/28の講義で話したように物質の色には多くの原因があります。下のそれぞれについて、色の原因を文章で説明して下さい。
問題7 光物性工学の授業で印象に残ったことやご意見、ご希望があれば書いてください。